渗碳热处理的操作步骤如下：

1. 零件在清洗之后，进行预氧化。这样做的目的是去除表面含铁、油等污染物以及减少余应力。（温度400-525℃） 。由于工件内含有较多的残佘奥氏体和脆性的Fe3C化合物 ，因此不能直接淬火强化（低温退火热处理的工艺）。使其完全转变为马氏体型时所需要的能量由炉气产生。如果这些成分不均匀还可能形成一些亚共析的片状石墨贫铬层或高硬度的二次硬化相—无规则分布的三叉晶粒(它们是过饱和固溶体的晶体形态)。因而使硬度过高影响耐磨性,甚至造成变形开裂降低使用寿命 ,所以必须经过高温加热这一步工序 .但若生产批量大的情况下可采用在线测温仪跟踪测量控制其实际操作的温度确保产品质量达到要求标准。(该项工作为重点)同时也可提高工作效率及产品合格率.。对于小型零部件或者精密微小部件可以采取随进加保温时间的方法来保证充分分解并熔化进入基体内的氧和其他气体而避免在使用过程中对大型设备支撑臂造成的损害问题 (在实际使用中经常出现接触氧气或者其他溶剂导致尺寸改变膨胀细长等问题发生严重影响设备的寿命与安全故此我们在此特别说明一下).所以在具体实施的时候可以根据产品的不同大小材质酌情考虑是否需要加入这 一环节亦或是以什么样的形式体现出来!。一般情况下的流程主要为:装料→升温至760～890℃，恒温和供氢后开始升压到规定压力 →保持规定的充填系数和质量流量下再经一定时间的反应得到不同的深浅程度的目的。　根据材料的大小和使用目的的不同选择适合的反应器型式十分重要材料的形状越简单利用率就越高而且也容易获得良好的均质效果。 　但是无论哪种容器都应具备密封性能好能承受一定的正负迁移量且导气管要插入液面以下才能防止外界空气倒灌引起污染为了保证传质的良好质量流动分配比还应该注意各组分的物态合适并且能很好混合成乳浊溶液以提高液体浓度！ 另外应注意净化脱除掉其中的游离硅以免生成 SiO_{x} 、SiCl_n 等沉淀阻止H原子向Cr合金扩散萌生“水瘤”终成为疲劳源当然也应该优先选用比较活泼的多孔介质作为输送载体让其通过多通道深入网状的夹杂疏松结构将其中富含 O气的分子释放出去并与 H相遇放出热量完成化学反映!从而达到低耗一次性成功的效果![强] 　　按照上述方法所得到的产物不仅组织细化纯洁具有良好的韧性耐腐蚀性强不会因受冲刷磨损而导致泄露还可以节约大量贵的不易获得的 Cr资源可谓一举数得何乐而不为之呢?[调皮]。